MOSFET, N-Canal Vishay SIRS4614EPW-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 330 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 904-978
- Referência do fabricante:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 904-978
- Referência do fabricante:
- SIRS4614EPW-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 330A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.000995Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 205W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 330A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.000995Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 205W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- DE
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para operaciones de alta eficiencia, abordando específicamente las pérdidas de potencia asociadas con la conducción en aplicaciones electrónicas. Este componente se caracteriza por su estructura robusta y su durabilidad en condiciones variables.
La tecnología TrenchFET Gen IV garantiza un rendimiento excelente con una pérdida de potencia mínima
Valor nominal para una tensión de drenaje-fuente de 60 V, lo que proporciona estabilidad en entornos de alta tensión
La baja resistencia en estado activo maximiza la eficiencia en aplicaciones de gestión de potencia
Diseñado con capacidades de disipación de potencia mejoradas para reducir los problemas térmicos
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