MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 188-8293
- Referência do fabricante:
- STL40DN3LLH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 791,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 07 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,597 € | 1 791,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 188-8293
- Referência do fabricante:
- STL40DN3LLH5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | STripFET | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 25mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.95mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie STripFET | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 25mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.95mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics’ STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Low on-resistance
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Wettable flank package
Applications
Switching applications
Links relacionados
- MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STL40DN3LLH5, VDSS 30 V, ID 40 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, 1, config.
- MOSFET RF, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 2.5 A, PowerFLAT, Mejora de 14 pines, config. Simple
- MOSFET RF, Tipo N-Canal STMicroelectronics PD55003L-E, VDSS 40 V, ID 2.5 A, PowerFLAT, Mejora de 14 pines, config.
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 160 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL170N4LF8, VDSS 40 V, ID 167 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL160N6LF7, VDSS 60 V, ID 160 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 5 A, PowerSO, Mejora de 10 pines, config. Simple