MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL160N6LF7, VDSS 60 V, ID 160 A, PowerFLAT, Mejora de 8 pines, config. Canal N
- Código RS:
- 358-982
- Referência do fabricante:
- STL160N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 358-982
- Referência do fabricante:
- STL160N6LF7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Potencia de salida | 125W | |
| Encapsulado | PowerFLAT | |
| Serie | STL160 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Canal N | |
| Longitud | 4.8mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | JEDEC | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Potencia de salida 125W | ||
Encapsulado PowerFLAT | ||
Serie STL160 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Canal N | ||
Longitud 4.8mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares JEDEC | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics, basado en la tecnología STripFET F7, ofrece una resistencia de estado activado (RDS(on)) excepcionalmente baja para una mayor eficiencia. Su diseño garantiza una capacitancia y una carga de puerta reducidas, lo que permite una conmutación más rápida y eficiente con una excelente inmunidad EMI.
Excelente FoM
Baja relación Crss por Ciss para inmunidad EMI
Alta robustez ante avalanchas
Nivel lógico VGS
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