MOSFET de potencia STMicroelectronics, N-Canal STH4N150-2AG, VDSS 1.5 kV, ID 2.6 A, H2PAK-2, MOSFET de 3 pines, config.
- Código RS:
- 877-308
- Referência do fabricante:
- STH4N150-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
2 724,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 18 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 2,724 € | 2 724,00 € |
| 2000 - 4000 | 2,656 € | 2 656,00 € |
| 5000 + | 2,552 € | 2 552,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 877-308
- Referência do fabricante:
- STH4N150-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.5kV | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | STH4N150 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | MOSFET | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 208W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35.1nC | |
| Configuración de transistor | MOSFET de canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.7mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Altura | 15.8mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.5kV | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie STH4N150 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal MOSFET | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 208W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35.1nC | ||
Configuración de transistor MOSFET de canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.7mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Altura 15.8mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el PowerMESH tecnológica. Este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de tensión y robustez para el mercado de automoción.
Carga de puerta muy baja
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET de potencia STMicroelectronics, N-Canal STH4N150-2AG, VDSS 1500 V, ID 2.6 A, H2PAK-2, MOSFET de 3 pines, config.
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STH8N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 6 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal STMicroelectronics STH285N10F8-2AG, VDSS 100 V, ID 292 A, Modo de mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH13N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 21 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH2N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 1.5 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- STMicroelectronics AEC-Q101 IGBT, STGH30H65DFB-2AG, 30 A, 650 V, H2PAK-2 Orificio pasante
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines