MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH2N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 1.5 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- Código RS:
- 151-438
- Referência do fabricante:
- STH2N120K5-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 2 unidades)*
9,22 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 802 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,61 € | 9,22 € |
| 20 - 198 | 4,145 € | 8,29 € |
| 200 + | 3,815 € | 7,63 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-438
- Referência do fabricante:
- STH2N120K5-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK-2 | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 4.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK-2 | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±30 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.8mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 4.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical propietaria. El resultado es una reducción dramática de la resistencia y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una alta eficiencia.
Con cualificación AEC Q101
RDS(on) x área más baja del sector
El mejor FoM del sector
Carga de puerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH2N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 1.5 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH13N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 21 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 33 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 40 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 20 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT025H120G3AG, VDSS 1200 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines