MOSFET sencillos, N-Canal Microchip APT40N60BC7, VDSS 600 V, ID 40 A, Modo de mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 862-368
- Referência do fabricante:
- APT40N60BC7
- Fabricante:
- Microchip
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | APT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 55mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 86nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 15.75mm | |
| Longitud | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS 3-Compliant | |
| Altura | 40.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie APT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 55mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 86nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 15.75mm | ||
Longitud 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS 3-Compliant | ||
Altura 40.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superconexión de 600 V, 40 A de Microchip está diseñado para una gestión eficiente de la potencia y capacidades de conmutación en aplicaciones electrónicas.
Dispone de menor resistencia de conexión, lo que se traduce en pérdidas de conducción reducidas
Ofrece una recuperación inversa ultrarrápida para reducir las pérdidas de conmutación
Permite un funcionamiento fiable a altas frecuencias de conmutación
Valor nominal de avalancha para una robustez de conmutación dura superior
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