MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQD50P06-15L_NE3, VDSS -60 V, ID 50 A, Modo de mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 829-351
- Referência do fabricante:
- SQD50P06-15L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
2,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de abril de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,29 € |
| 10 - 99 | 1,45 € |
| 100 - 499 | 1,00 € |
| 500 - 999 | 0,79 € |
| 1000 + | 0,74 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 829-351
- Referência do fabricante:
- SQD50P06-15L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SQD | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0155Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Tensión directa Vf | -1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.22mm | |
| Anchura | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 2.38mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SQD | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0155Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Tensión directa Vf -1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.22mm | ||
Anchura 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 2.38mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- GB
El MOSFET de potencia de alto rendimiento de Vishay está diseñado para aplicaciones de automoción. Este dispositivo garantiza un funcionamiento fiable en condiciones exigentes con características de rendimiento robustas.
La tecnología TrenchFET permite una gestión eficiente de la energía
El encapsulado de baja resistencia térmica mejora la disipación térmica
Completamente probado para R y UIS garantiza la fiabilidad
Certificación AEC-Q101 para estándares de seguridad de automoción
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQD50P04-13L_NE3, VDSS 40 V, ID 50 A, Modo de mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQD50P06-15L_GE3, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQJ457EP-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -36 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM100P10-19L_NE3, VDSS -100 V, ID -93 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM120P06-07L_NE3, VDSS -60 V, ID -120 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM120P04-04L_NE3, VDSS -40 V, ID -120 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQ3457CEV-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6.8 A, Modo de mejora, TSOP-6 de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal ROHM AG502EGD3HRBTL, VDSS -40 V, ID 68 A, Mejora, TO-252 de 3 pines