MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQD50P04-13L_NE3, VDSS 40 V, ID 50 A, Modo de mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 829-350
- Referência do fabricante:
- SQD50P04-13L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-350
- Referência do fabricante:
- SQD50P04-13L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | SQD | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.013Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 2.3mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie SQD | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.013Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 60nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 2.3mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- GB
El MOSFET de potencia de Vishay proporciona capacidades de conmutación de alto rendimiento, diseñado específicamente para aplicaciones de automoción, lo que garantiza fiabilidad y eficiencia en condiciones exigentes.
La tecnología TrenchFET mejora la eficiencia energética
La baja resistencia térmica permite una gestión eficaz del calor
La robusta certificación AEC-Q101 garantiza un rendimiento de alta calidad
100 % probado Rg y UIS para mayor fiabilidad en funcionamiento
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