MOSFET sencillos, N-Canal onsemi UF3C120400K3S, VDSS 1.2 kV, ID 7.6 A, Mejora, TO-247-3 de 3 pines
- Código RS:
- 648-529
- Referência do fabricante:
- UF3C120400K3S
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 648-529
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- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | UF3 | |
| Encapsulado | TO-247-3 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 515mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 100W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 27nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 20.96mm | |
| Anchura | 15.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, Pb-Free | |
| Altura | 5.03mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie UF3 | ||
Encapsulado TO-247-3 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 515mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 100W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 27nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 20.96mm | ||
Anchura 15.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, Pb-Free | ||
Altura 5.03mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CH
Los JFET de código casco EliteSiC de ON Semiconductor combinan un JFET SiC normalmente encendido con un MOSFET Si para crear un dispositivo normalmente apagado en una configuración de circuito de código casco, que ofrece un rendimiento de conmutación y fiabilidad superiores. Las ventajas incluyen alta eficiencia, frecuencia más rápida, mayor densidad de potencia, menor EMI y tamaño de sistema más pequeño. Estos dispositivos admiten controladores de puerta estándar, lo que simplifica la sustitución de Si IGBT y dispositivos de superunión. Ideal para conmutar cargas inductivas.
Resistencia encendida RDS(encendida)
Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C
Excelente recuperación inversa
Carga de puerta baja
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