MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SISS176LDN-T1-BE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-508
- Referência do fabricante:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 851-508
- Referência do fabricante:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 70V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0125Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Anchura | 5.25mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 70V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0125Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.05mm | ||
Anchura 5.25mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay ofrece alta eficiencia en la gestión de potencia, con una estructura robusta que admite diversas demandas eléctricas en aplicaciones electrónicas avanzadas.
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora el rendimiento
La R DS(on) muy baja a varias tensiones de puerta garantiza la eficiencia
Las pruebas exhaustivas garantizan la fiabilidad en el funcionamiento
La composición sin plomo (Pb) y sin halógenos cumple las normas ambientales
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