MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SISS176LDN-T1-BE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, N, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-508
- Referência do fabricante:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 10 para poupar 6,10 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 1 unidade)*
1,63 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 6000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 1,63 € | - |
| 10 - 99 | 1,02 € | 6,10 € |
| 100 - 499 | 0,67 € | 96,00 € |
| 500 - 999 | 0,53 € | 550,00 € |
| 1000 + | 0,47 € | 1 160,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 851-508
- Referência do fabricante:
- SISS176LDN-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 70V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0125Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Longitud | 6.05mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Anchura | 5.25mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 70V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0125Ω | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Longitud 6.05mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Anchura 5.25mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay ofrece alta eficiencia en la gestión de potencia, con una estructura robusta que admite diversas demandas eléctricas en aplicaciones electrónicas avanzadas.
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora el rendimiento
La R DS(on) muy baja a varias tensiones de puerta garantiza la eficiencia
Las pruebas exhaustivas garantizan la fiabilidad en el funcionamiento
La composición sin plomo (Pb) y sin halógenos cumple las normas ambientales
Links relacionados
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SISS176LDN-T1-UE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SISS178LDN-T1-BE3, VDSS 70 V, ID 45.3 A, N, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIR692DP-T1-BE3, VDSS 250 V, ID 20 A, N, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIR178DP-T1-BE3, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SiS176LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 42.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SI3493DDV-T1-BE3, VDSS -20 V, ID -8 A, P, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, N-Canal Vishay SIR608DP-T1-BE3, VDSS 45 V, ID 208 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines