MOSFET, N-Canal Vishay SIR608DP-T1-BE3, VDSS 45 V, ID 208 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 904-976
- Referência do fabricante:
- SIR608DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 904-976
- Referência do fabricante:
- SIR608DP-T1-BE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 208A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 45V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0012Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 50.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 208A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 45V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0012Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 50.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Anchura 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para proporcionar una conmutación eficiente y una alta densidad de potencia. Con un perfil de rendimiento robusto, presenta una baja resistencia de encendido, lo que garantiza un funcionamiento óptimo en aplicaciones de convertidores dc/dc.
El diseño TrenchFET Gen IV garantiza una excelente eficiencia
Tensión de ruptura de fuente de drenaje de 45 V para un rendimiento fiable
Baja resistencia en estado activo de 0,00120 ohmios a 10 V
Corriente de drenaje continua robusta de 208 A a 25 °C
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