MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM120P06-07L_NE3, VDSS -60 V, ID -120 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 829-359
- Referência do fabricante:
- SQM120P06-07L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-359
- Referência do fabricante:
- SQM120P06-07L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -60V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SI | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0067Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 180nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.16mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 10.28mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -60V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SI | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0067Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 180nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.16mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 10.28mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- GB
El MOSFET de potencia de canal P de automoción de Vishay está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, lo que proporciona una solución robusta para una gestión de potencia eficaz en entornos de automoción.
La tecnología TrenchFET mejora la eficiencia y reduce la pérdida de potencia
Certificación AEC-Q101 de fiabilidad en aplicaciones de automoción
El encapsulado de baja resistencia térmica garantiza una disipación térmica óptima
La excelente resistencia en estado activo a tensiones de puerta variables mejora el rendimiento
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