MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM120P04-04L_NE3, VDSS -40 V, ID -120 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 829-358
- Referência do fabricante:
- SQM120P04-04L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
1,97 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 08 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,97 € |
| 10 - 24 | 1,92 € |
| 25 - 99 | 1,87 € |
| 100 + | 1,75 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 829-358
- Referência do fabricante:
- SQM120P04-04L_NE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | SQM | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.004Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 220nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 10.41mm | |
| Longitud | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Altura | 4.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie SQM | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.004Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 220nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 10.41mm | ||
Longitud 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Altura 4.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- GB
El MOSFET de canal P de automoción de alto rendimiento de Vishay, diseñado para funcionar en condiciones hostiles al tiempo que proporciona un rendimiento fiable en diversas aplicaciones. Su estructura robusta garantiza durabilidad y eficiencia en los circuitos eléctricos.
Sin halógenos conforme a IEC 61249-2-21
Baja resistencia de encendido a una tensión de puerta a fuente de -10 V
Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
Rendimiento térmico mejorado con baja resistencia térmica
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM120P06-07L_NE3, VDSS -60 V, ID -120 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQM100P10-19L_NE3, VDSS -100 V, ID -93 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET sencillos, Canal P-Canal Vishay SQJ457EP-T1_NE3, VDSS -60 V, ID -36 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJ160ELP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 268 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJQ190ER-T1_GE3, VDSS 200 V, ID 95 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJ766EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 100 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SIA432BDJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 3.4 A, Modo de mejora, P de 6 pines
- MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SIR580DP-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 3.4 A, Modo de mejora, P de 8 pines