MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A080SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 31 A, N, TO-247AD de 4 pines
- Código RS:
- 790-417
- Referência do fabricante:
- MXPQ120A080SL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|
| 1 - 9 | 9,02 € |
| 10 - 99 | 6,56 € |
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- 790-417
- Referência do fabricante:
- MXPQ120A080SL-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | MaxSiC | |
| Encapsulado | TO-247AD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 61nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 174W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 4.7V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.21mm | |
| Longitud | 23.6mm | |
| Anchura | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie MaxSiC | ||
Encapsulado TO-247AD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 61nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 174W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 4.7V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.21mm | ||
Longitud 23.6mm | ||
Anchura 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET SiC de canal N de alto rendimiento de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia eficientes, lo que garantiza un rendimiento y una fiabilidad óptimos en tus sistemas.
La velocidad de conmutación rápida mejora la eficiencia general del sistema
El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs proporciona una protección robusta
La certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción garantiza la fiabilidad
La baja resistencia en estado activo minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
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