MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXP120A045SW-GE3, VDSS 1200 V, ID 51 A, N, TO-247AD 3L de 3 pines
- Código RS:
- 736-650
- Referência do fabricante:
- MXP120A045SW-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 736-650
- Referência do fabricante:
- MXP120A045SW-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | TO-247AD 3L | |
| Serie | MXP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 82mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tensión directa Vf | 4.9V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 254W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado TO-247AD 3L | ||
Serie MXP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 82mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC | ||
Tensión directa Vf 4.9V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 254W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TW
El Sic Mosfet de canal N de Vishay proporciona un rendimiento de conmutación rápido para accionamientos de motor de alta eficiencia y convertidores dc a dc. Este semiconductor garantiza la estabilidad del sistema con un tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 microsegundos para inversores solares exigentes y sistemas de energía.
Velocidad de conmutación rápida para mayor eficiencia energética
Período de protección contra cortocircuitos robusto
Versátil para fuentes de alimentación ininterrumpida
Estándares de cumplimiento de materiales sostenibles
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