MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXPQ120A063SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 41 A, N, TO-247AD de 4 pines

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

9,80 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 29 de dezembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
1 - 49,80 €
5 +9,61 €

*preço indicativo

Código RS:
790-414
Referência do fabricante:
MXPQ120A063SL-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

63mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

205W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

23.6mm

Altura

5.21mm

Anchura

16.13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET SiC de canal N de 1200 V de Vishay es un dispositivo de conmutación de alto rendimiento diseñado para mejorar la eficiencia en diversas aplicaciones de potencia.

La velocidad de conmutación rápida optimiza el rendimiento operativo

El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs mejora la fiabilidad

Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción

La baja resistencia en estado activo de 63 mΩ garantiza una pérdida de potencia mínima

Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.