MOSFET, Canal N-Canal Vishay MXP120A063SL-GE3, VDSS 1200 V, ID 41 A, N, TO-247AD de 4 pines

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Código RS:
790-415
Referência do fabricante:
MXP120A063SL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247AD

Serie

MaxSiC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

79mΩ

Modo de canal

N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

4.8V

Disipación de potencia máxima Pd

205W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

16.13mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

5.21mm

Longitud

23.6mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET SiC de canal N de 1200 V de Vishay está diseñado para aplicaciones de potencia de alto rendimiento, ofreciendo eficiencia, velocidad y fiabilidad. Su diseño avanzado garantiza un funcionamiento robusto en condiciones exigentes al tiempo que mantiene el cumplimiento de la normativa ecológica.

La velocidad de conmutación rápida mejora la eficiencia en la conversión de potencia

El tiempo de resistencia a cortocircuitos de 3 μs aumenta la fiabilidad del dispositivo

La baja resistencia en estado activo de 63 mΩ a 25 °C minimiza la pérdida de energía

Las altas tensiones nominales de hasta 1200 V admiten aplicaciones versátiles

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