MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQFH99N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 339 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines

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Código RS:
762-986
Referência do fabricante:
IQFH99N06NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

339A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PG-TSON-12

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

12

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.99mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

214W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

115nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6mm

Longitud

8mm

Altura

1.1mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
Transistor OptiMOS 5Power de 60 V de Infineon, optimizado para unidades de baja tensión, alimentación por batería y aplicaciones de rectificación síncrona. Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales.

100 % a prueba de avalancha

Resistencia térmica superior

Canal N

Chapado sin plomo, conforme con RoHS

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