Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal FS01MR08A8MA2CHPSA1, VDSS 750 V, ID 620 A, PG-TSON-12, Mejora de 30 pines,

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 unidade)*

2 004,42 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
1 +2 004,42 €

*preço indicativo

Código RS:
762-980
Referência do fabricante:
FS01MR08A8MA2CHPSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

Módulos MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

620A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

PG-TSON-12

Serie

HybridPACK

Tipo de montaje

Terminal roscado

Número de pines

30

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5μC

Disipación de potencia máxima Pd

20mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Tensión directa Vf

6.73V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Medio puente

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
DE
El módulo HybridPACK Drive G2 de Infineon utiliza MOSFET de carburo de silicio (SiC), que ofrecen una tensión máxima de 750 V y una corriente nominal de 620 A. Su diseño presenta una baja resistencia de conexión, pérdidas de conmutación mínimas y una robusta capacidad de aislamiento de 4,25 kV. Diseñado para un alto rendimiento, mantiene temperaturas de funcionamiento de hasta 200 °C.

Diseño compacto

Alta densidad de potencia

Placa base PinFin con refrigeración directa

Diodo sensor de temperatura integrado

Tecnología de contacto PressFIT

Conformidad con RoHS, sin plomo

Links relacionados