MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQFH68N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 460 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- Código RS:
- 762-984
- Referência do fabricante:
- IQFH68N06NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
5,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,02 € |
| 10 - 49 | 4,07 € |
| 50 - 99 | 3,11 € |
| 100 + | 2,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 762-984
- Referência do fabricante:
- IQFH68N06NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 460A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PG-TSON-12 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.68mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 273W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 168nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 460A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PG-TSON-12 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.68mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 273W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 168nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 8mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
Transistor OptiMOS 5Power de 60 V de Infineon, optimizado para unidades de baja tensión, alimentación por batería y aplicaciones de rectificación síncrona. Totalmente cualificado conforme a JEDEC para aplicaciones industriales.
100 % a prueba de avalancha
Resistencia térmica superior
Canal N
Chapado sin plomo, conforme con RoHS
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQFH86N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 394 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQFH99N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 339 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IQFH61N06NM5ATMA1, VDSS 60 V, ID 510 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon IQFH55N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 451 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQFH36N04NM6ATMA1, VDSS 40 V, ID 656 A, Mejora, PG-TSON-12 de 12 pines
- Módulos MOSFET Infineon, Canal N-Canal FS01MR08A8MA2CHPSA1, VDSS 750 V, ID 620 A, PG-TSON-12, Mejora de 30 pines,
- Transistor de potencia, Tipo N-Canal Infineon ISC037N13NM6ATMA1, VDSS 135 V, ID 172 A, Mejora, PG-TSON-8 de 8 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N-Canal ISC030N12NM6ATMA1, VDSS 120 V, PG-TSON-8, Mejora de 8 pines, 1