MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR5402DP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 201.5 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-264
Referência do fabricante:
SIR5402DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

201.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0017Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

82nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

92.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para la conversión y el control de potencia de alta eficiencia en sistemas electrónicos exigentes. Garantiza un rendimiento robusto con pruebas exhaustivas, al tiempo que mantiene el cumplimiento de estándares ambientales. Su versatilidad lo convierte en ideal para aplicaciones que requieren una rectificación fiable, soluciones dc/dc compactas y control de accionamiento de motor preciso.

Proporciona pruebas al 100 % Rg y UIS para una fiabilidad probada

Garantiza el cumplimiento de la directiva RoHS para la seguridad ambiental

Estructura sin halógenos para un diseño respetuoso con el medio ambiente

Admite rectificación síncrona para una conversión de potencia eficiente

Permite el control del accionamiento del motor con un rendimiento de conmutación fiable

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