MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR5408DP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 101 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-218
- Referência do fabricante:
- SIR5408DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
1,02 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 1,02 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-218
- Referência do fabricante:
- SIR5408DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 101A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.004Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 59.5W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.12mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 5.26mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 101A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.004Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 59.5W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.12mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 5.26mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- IL
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para la conversión y el control de potencia de alta eficiencia en sistemas electrónicos exigentes. Garantiza un rendimiento robusto con pruebas exhaustivas, al tiempo que mantiene el cumplimiento de estándares ambientales. Su versatilidad lo convierte en ideal para aplicaciones que requieren una rectificación fiable, soluciones dc/dc compactas y control de accionamiento de motor preciso.
Proporciona pruebas al 100 % Rg y UIS para una fiabilidad probada
Garantiza el cumplimiento de la directiva RoHS para la seguridad ambiental
Estructura sin halógenos para un diseño respetuoso con el medio ambiente
Admite rectificación síncrona para una conversión de potencia eficiente
Permite el control del accionamiento del motor con un rendimiento de conmutación fiable
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR5406DP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR5404DP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 158 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5205DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -153.2 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR532DP-T1-UE3, VDSS 30 V, ID 340 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIR5402DP-T1-UE3, VDSS 40 V, ID 201.5 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5203DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -267 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5207DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISS126DN-T1-UE3, VDSS 80 V, ID 54.7 A, Mejora, PowerPAK 1212-8 de 8 pines