MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5203DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -267 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-200
Referência do fabricante:
SIR5203DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-267A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0018Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

104.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

340nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal P de 20 V de Vishay está diseñado para una conmutación de carga eficiente en diseños electrónicos compactos. Combina un rendimiento fiable con un cumplimiento respetuoso con el medio ambiente, lo que garantiza un funcionamiento seguro y sostenible. Su capacidad de baja tensión lo convierte en ideal para aplicaciones de consumo y automoción modernas que requieren soluciones de conmutación fiables.

Garantiza el cumplimiento de la directiva RoHS para la seguridad ambiental

Estructura sin halógenos para un uso más seguro

Ofrece idoneidad para aplicaciones de conmutación de carga

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