MOSFET, Canal P-Canal Vishay SIR5207DP-T1-UE3, VDSS -20 V, ID -136.7 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

0,83 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 03 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 240,83 €
25 - 990,55 €
100 - 4990,29 €
500 +0,28 €

*preço indicativo

Código RS:
735-202
Referência do fabricante:
SIR5207DP-T1-UE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-136.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-20V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0042Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

1.12mm

Longitud

6.25mm

Anchura

5.26 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

Links relacionados