MOSFET, Canal N-Canal Vishay SISF12EDN-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 85 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- Código RS:
- 735-237
- Referência do fabricante:
- SISF12EDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
0,60 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,60 € |
| 25 - 99 | 0,40 € |
| 100 + | 0,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 735-237
- Referência do fabricante:
- SISF12EDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 85A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 12V | |
| Encapsulado | PowerPAK 1212 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±8 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69.4W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 85A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V | ||
Encapsulado PowerPAK 1212 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±8 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69.4W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Links relacionados
- MOSFET, Canal P-Canal Vishay SISH521EDN-T1-GE3, VDSS -20 V, ID -104 A, Mejora, PowerPAK 1212-8SH de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS60DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 181.8 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISHA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISS27DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 23 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISA10DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SISS50DN-T1-GE3, VDSS 45 V, ID 108 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIS126DN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 45.1 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines