MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 437 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- Código RS:
- 225-9944
- Referência do fabricante:
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
2 073,00 €
Adicione 3000 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 23 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,691 € | 2 073,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 225-9944
- Referência do fabricante:
- SQJ128ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 437A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK (8x8L) | |
| Serie | N-Channel 30 V | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 99nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 437A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK (8x8L) | ||
Serie N-Channel 30 V | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 99nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.
Certificación AEC-Q101
100 % Rg y UIS probados
Encapsulado delgado de 1,6 mm
Resistencia térmica muy baja
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ128ELP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 437 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 293 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 602 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 315 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 248 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 278 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJ180EP-T1_GE3, VDSS 80 V, ID 248 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQJQ160E-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 602 A, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
