MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines
- Código RS:
- 719-638
- Referência do fabricante:
- SGT350R70GTK
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-638
- Referência do fabricante:
- SGT350R70GTK
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | G-HEMT | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -1.4 to 7 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.7 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie G-HEMT | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -1.4 to 7 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.7 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
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