MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines
- Código RS:
- 719-638
- Referência do fabricante:
- SGT350R70GTK
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 350mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 47W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Serie G-HEMT | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 350mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 47W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El transistor PowerGaN de modo electrónico de 700 V 6 A de STMicroelectronics se combina con una tecnología de encapsulado bien establecida. El dispositivo G-HEMT resultante proporciona pérdidas de conducción extremadamente bajas, alta capacidad de corriente y funcionamiento de conmutación ultrarrápido para permitir una alta densidad de potencia y un rendimiento de eficiencia inmejorable. Recomendado para aplicaciones QR de consumo con encendido de corriente cero.
Modo de mejora normalmente apagado transistor
Velocidad de conmutación muy alta
Alta capacidad de gestión de potencia
Capacitancias muy bajas
Almohadilla de fuente Kelvin para una conducción de puerta óptima
Carga de recuperación inversa cero
Protección ESD
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