MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics SCT025W120G3-4, VDSS 1200 V, ID 56 A, Mejora, Hip-247-4 de 4 pines

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Código RS:
719-470
Referência do fabricante:
SCT025W120G3-4
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

56A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247-4

Serie

Sct

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

27mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

388W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

73nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

2.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.1 mm

Altura

25.27mm

Longitud

15.9mm

COO (País de Origem):
CN

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