MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5607DP-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 90.9 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-195
- Referência do fabricante:
- SIR5607DP-T1-UE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-195
- Referência do fabricante:
- SIR5607DP-T1-UE3
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SIR5607DP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.007Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.26 mm | |
| Longitud | 6.25mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SIR5607DP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.007Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.26 mm | ||
Longitud 6.25mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal P de Vishay está diseñado para una conmutación eficiente en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 60 V de tensión de fuente de drenaje y está alojado en un encapsulado PowerPAK SO-8. Construido con tecnología TrenchFET Gen V, ofrece un RDS(on) muy bajo, lo que minimiza la caída de tensión y las pérdidas de conducción.
Sin Pb
Sin halógenos
Conforme a RoHS
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