MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5607DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 90.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 279-9951
- Referência do fabricante:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
6,45 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 5966 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 3,225 € | 6,45 € |
| 50 - 98 | 2,915 € | 5,83 € |
| 100 - 248 | 2,60 € | 5,20 € |
| 250 - 998 | 2,54 € | 5,08 € |
| 1000 + | 2,49 € | 4,98 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 279-9951
- Referência do fabricante:
- SIR5607DP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.007Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 112nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.007Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 112nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 5.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es de canal P y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Menos caída de tensión
Reduce la pérdida de conducción
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5607DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 90.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5607DP-T1-UE3, VDSS 60 V, ID 90.9 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR4409DP-T1-RE3, VDSS 40 V, ID 60.6 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIR5623DP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 37.1 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SiR681DP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 71.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI7469ADP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 46 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIDR570EP-T1-RE3, VDSS 30 V, ID 90.9 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 80 V, ID 71.9 A, Mejora, SO-8 de 8 pines