MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-186
- Referência do fabricante:
- SQ7414CENW-T1_JE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 653-186
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- SQ7414CENW-T1_JE3
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Especificações
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 18A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SQ7414CENW | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 18A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SQ7414CENW | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 3.4mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET simples serie SQ7414CENW de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 60 V, corriente de drenaje continua de 18 A - SQ7414CENW-T1_JE3
Este MOSFET único proporciona capacidad de conmutación y amplificación para circuitos electrónicos de potencia en contextos industriales y de automoción exigentes. Diseñado como dispositivo de mejora de canal N, está diseñado para montaje en PCB donde se requiere conducción controlada y resistencia térmica.
Características y ventajas:
• Tensión de drenaje máxima de 60 V para sistemas de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 18 A para manejar corrientes de carga sustanciales • La resistencia de conexión de 0,028 Ω reduce las pérdidas por conducción • Carga de puerta típica de 25 nC para un control de conmutación eficiente • Disipación de potencia de 62 W que permite un manejo de potencia elevado • Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C para entornos de alta temperatura
Aplicaciones
• Apto para módulos de distribución de potencia de automoción que requieren componentes de grado AEC‐Q101 • Ideal para etapas de accionamiento de motores en sistemas de automatización industrial • Se utiliza para funciones de etapa de conmutación en unidades de gestión de potencia en PCB • Puede utilizarse para protección de baterías y conmutación de carga en electrónica de vehículos
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación eficiente?
Utilice un controlador de puerta capaz de generar y absorber corrientes para lograr el dv/dt deseado dado la carga de puerta típica de 25 nC en la tensión de puerta aplicada.
¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en una PCB?
Proporciona vías térmicas y un área de cobre adecuada en la PCB para disipar hasta 62 W y mantener temperaturas de unión por debajo de límites seguros en el máximo especificado de 175 °C.
¿Qué límites deben observarse para tensiones de funcionamiento seguras?
Garantice que la tensión de drenaje-fuente nunca supere los 60 V y que la tensión de fuente de puerta permanezca dentro de ±20 V para evitar la tensión del dispositivo.
¿Hay consideraciones para extremos ambientales a largo plazo?
Diseño para funcionar hasta -55 °C y hasta 175 °C de temperatura máxima del dispositivo, seleccionando materiales y diseños que admiten ciclos térmicos y expansión.
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