MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SIS5712DN-T1-GE3, VDSS 150 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-112
Referência do fabricante:
SIS5712DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

18A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIS5712DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0555Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

39.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.04mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Anchura

3.3mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alta densidad de potencia. Admite hasta 150 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8, utiliza la tecnología TrenchFET Gen V para proporcionar un bajo RDS(on), una carga de puerta reducida y un excelente rendimiento térmico.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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