MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 413 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- Código RS:
- 653-125
- Referência do fabricante:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 653-125
- Referência do fabricante:
- SQJQ140ER-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 413A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | SQJQ140ER | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00065Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 288nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 10.42mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 413A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie SQJQ140ER | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00065Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 288nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 10.42mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para una conmutación de alta eficiencia en sistemas compactos y de alta densidad de potencia. Admite hasta 40 V de tensión de fuente de drenaje y proporciona un manejo de corriente excepcional con hasta 413 A a 175 °C. En un encapsulado delgado PowerPAK 8x8LR, aprovecha la tecnología TrenchFET Gen IV para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico superior.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
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