MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ7414CENW-T1_JE3, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

Código RS:: 653-185
Referência do fabricante:: SQ7414CENW-T1_JE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ7414CENW-T1_JE3, VDSS 60 V, ID 18 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:: 653-185
Referência do fabricante:: SQ7414CENW-T1_JE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET sencillos
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	PowerPAK
	Serie	SQ7414CENW
	Tipo de montaje	Montaje en PCB
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.028Ω
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	62W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	25nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	1.12mm
	Longitud	3.4mm
	Anchura	3.4mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q101

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET sencillos
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 18A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado PowerPAK
	Serie SQ7414CENW
	Tipo de montaje Montaje en PCB
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 62W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 1.12mm
	Longitud 3.4mm
	Anchura 3.4mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - SQ7414CENW-T1_JE3

MOSFET simples serie SQ7414CENW de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 60 V, corriente de drenaje continua de 18 A - SQ7414CENW-T1_JE3

Este MOSFET único proporciona capacidad de conmutación y amplificación para circuitos electrónicos de potencia en contextos industriales y de automoción exigentes. Diseñado como dispositivo de mejora de canal N, está diseñado para montaje en PCB donde se requiere conducción controlada y resistencia térmica.

Características y ventajas:

• Tensión de drenaje máxima de 60 V para sistemas de alta tensión • Corriente de drenaje continua de 18 A para manejar corrientes de carga sustanciales • La resistencia de conexión de 0,028 Ω reduce las pérdidas por conducción • Carga de puerta típica de 25 nC para un control de conmutación eficiente • Disipación de potencia de 62 W que permite un manejo de potencia elevado • Temperatura de funcionamiento máxima de 175 °C para entornos de alta temperatura

Aplicaciones

• Apto para módulos de distribución de potencia de automoción que requieren componentes de grado AEC‐Q101 • Ideal para etapas de accionamiento de motores en sistemas de automatización industrial • Se utiliza para funciones de etapa de conmutación en unidades de gestión de potencia en PCB • Puede utilizarse para protección de baterías y conmutación de carga en electrónica de vehículos

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación eficiente?

Utilice un controlador de puerta capaz de generar y absorber corrientes para lograr el dv/dt deseado dado la carga de puerta típica de 25 nC en la tensión de puerta aplicada.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en una PCB?

Proporciona vías térmicas y un área de cobre adecuada en la PCB para disipar hasta 62 W y mantener temperaturas de unión por debajo de límites seguros en el máximo especificado de 175 °C.

¿Qué límites deben observarse para tensiones de funcionamiento seguras?

Garantice que la tensión de drenaje-fuente nunca supere los 60 V y que la tensión de fuente de puerta permanezca dentro de ±20 V para evitar la tensión del dispositivo.

¿Hay consideraciones para extremos ambientales a largo plazo?

Diseño para funcionar hasta -55 °C y hasta 175 °C de temperatura máxima del dispositivo, seleccionando materiales y diseños que admiten ciclos térmicos y expansión.