MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 72 V, ID 54 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-135
- Referência do fabricante:
- SQS178ELNW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
0,66 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 24 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 24 | 0,66 € |
| 25 - 99 | 0,64 € |
| 100 - 499 | 0,61 € |
| 500 - 999 | 0,53 € |
| 1000 + | 0,49 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-135
- Referência do fabricante:
- SQS178ELNW-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 72V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SQS178EL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.012Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 65W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 39nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 72V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SQS178EL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.012Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 65W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 39nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 72 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. Envasado en PowerPAK 1212-8SLW, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento eléctrico y térmico optimizado.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Terminales de flanco húmedos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS178ELNW-T1_GE3, VDSS 72 V, ID 54 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS174ELNW-T1_GE3, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID 6.9 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 413 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 123 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID -54.5 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 19.6 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines