MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS174ELNW-T1_GE3, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-126
Referência do fabricante:
SQS174ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

87A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

72V

Serie

SQS174ELNW

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

103W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

3.3 mm

Altura

0.75mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite hasta 72 V de tensión de fuente de drenaje y gestiona corrientes de drenaje continuas de hasta 87 A a 175 °C, lo que lo convierte en adecuado para sistemas de alimentación de automoción robustos. Envasado en PowerPAK 1212-8SLW, dispone de tecnología TrenchFET Gen IV para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Terminales de flanco húmedos

Cumplimiento de RoHS

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