MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS174ELNW-T1_GE3, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

2 004,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 +0,668 €2 004,00 €

*preço indicativo

Código RS:
653-126
Referência do fabricante:
SQS174ELNW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

87A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

72V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SQS174ELNW

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0072Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

69nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

103W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Altura

0.75mm

Anchura

3.3 mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en entornos compactos y térmicamente exigentes. Admite hasta 72 V de tensión de fuente de drenaje y gestiona corrientes de drenaje continuas de hasta 87 A a 175 °C, lo que lo convierte en adecuado para sistemas de alimentación de automoción robustos. Envasado en PowerPAK 1212-8SLW, dispone de tecnología TrenchFET Gen IV para un RDS(on) ultrabajo y un rendimiento térmico optimizado.

Con cualificación AEC Q101

Sin Pb

Sin halógenos

Terminales de flanco húmedos

Cumplimiento de RoHS

Links relacionados