MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 345 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines
- Código RS:
- 653-074
- Referência do fabricante:
- SQJQ142ER-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 fita de 1 unidade)*
2,87 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3999 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,87 € |
| 10 - 24 | 2,78 € |
| 25 - 99 | 2,74 € |
| 100 - 499 | 2,33 € |
| 500 + | 2,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-074
- Referência do fabricante:
- SQJQ142ER-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 345A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SQJQ14 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00124Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 277W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 92nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Anchura | 8mm | |
| Longitud | 10.42mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 345A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SQJQ14 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00124Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 277W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 92nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Anchura 8mm | ||
Longitud 10.42mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite tensión de fuente de drenaje de hasta 40 V y funciona de manera fiable a temperaturas de unión de hasta 175 °C. En un encapsulado PowerPAK 8x8LR, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para mejorar el rendimiento térmico y eléctrico.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SQJQ142ER-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 345 A, Mejora, PowerPAK de 3 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 413 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 19.6 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 94 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 72 V, ID 54 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 136 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines