MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay, VDSS 100 V, ID 7.1 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-098
- Referência do fabricante:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
1,44 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 6000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,44 € |
| 25 - 99 | 1,39 € |
| 100 - 499 | 1,37 € |
| 500 - 999 | 1,15 € |
| 1000 + | 1,08 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-098
- Referência do fabricante:
- SIS9122DN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | SIS9122 | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.16Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.8W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.8mm | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie SIS9122 | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.16Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.8W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.8mm | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de canal N doble de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8 Dual, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento eléctrico y térmico optimizado.
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay SIS9122DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 7.1 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo P-Canal Vishay, VDSS -40 V, ID -48.3 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 32 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 62.8 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 51 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 64 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines