MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay SIS9122DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 7.1 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
653-097
Referência do fabricante:
SIS9122DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Doble N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SIS9122

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.16Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

17.8W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de canal N doble de grado de automoción Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en PowerPAK 1212-8 Dual, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para un rendimiento eléctrico y térmico optimizado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

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