MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D9N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 94 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 fita de 10 unidades)*

9,82 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 1790 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
  • Mais 1500 unidade(s) para enviar a partir do dia 09 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Fita*
10 - 900,982 €9,82 €
100 - 4900,608 €6,08 €
500 - 9900,376 €3,76 €
1000 +0,372 €3,72 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
648-509
Referência do fabricante:
NVMFWS2D9N04XMT1G
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

94A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

DFNW-5

Serie

NVM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Altura

1mm

Longitud

4.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de potencia de automoción de ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluye un alto rendimiento térmico. Opción de flanco húmedo disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET calificado AEC-Q101 y capaz de PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Pequeño tamaño

RDS(on) baja

QG y capacitancia bajas

Opción de flanco húmedo

Conforme a RoHS

Links relacionados