MOSFET, N-Canal onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-573
- Referência do fabricante:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-573
- Referência do fabricante:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 121A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Tensión directa Vf | 820mV | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 121A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Tensión directa Vf 820mV | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene baja capacitancia para minimizar las pérdidas del excitador. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.
RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción
Compatible con RoHS
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