MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-573
- Referência do fabricante:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-573
- Referência do fabricante:
- NVMFWS2D3N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 121A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.35mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 22.2nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 63W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | AECQ101 Qualified and PPAP Capable | |
| Anchura | 6 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 121A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie NVMFWS | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.35mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 22.2nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 63W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares AECQ101 Qualified and PPAP Capable | ||
Anchura 6 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor tiene baja capacitancia para minimizar las pérdidas del excitador. Este dispositivo no contiene Pb, halógenos ni BFR.
RDS(on) bajo para minimizar las pérdidas por conducción
Compatible con RoHS
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