MOSFET, N-Canal onsemi NVMFWS1D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 253 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
220-570
Referência do fabricante:
NVMFWS1D5N08XT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

253A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFNW-5

Serie

NVMFWS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.43mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

194W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

6mm

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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