MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 253 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-570
- Referência do fabricante:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 220-570
- Referência do fabricante:
- NVMFWS1D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 253A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Serie | NVMFWS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.43mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 194W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 253A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Serie NVMFWS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.43mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 194W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
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