MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 156 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- Código RS:
- 220-574
- Referência do fabricante:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 5 unidades)*
7,91 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 1335 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,582 € | 7,91 € |
| 50 - 95 | 1,502 € | 7,51 € |
| 100 - 495 | 1,392 € | 6,96 € |
| 500 - 995 | 1,282 € | 6,41 € |
| 1000 + | 1,234 € | 6,17 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 220-574
- Referência do fabricante:
- NVMFWS2D5N08XT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 156A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NVMFWS | |
| Encapsulado | DFNW-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.55mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 133W | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 156A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NVMFWS | ||
Encapsulado DFNW-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.55mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 133W | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de potencia de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.
Sin halógenos
Compatible con RoHS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 253 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 121 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS2D9N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 94 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS0D63N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 384 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D1N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 233 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS1D3N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 195 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS4D0N08XT1G, VDSS 80 V, ID 119 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS3D0N08XT1G, VDSS 80 V, ID 154 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines