MOSFET, N-Canal onsemi NVMFWS2D5N08XT1G, VDSS 80 V, ID 156 A, Mejora, DFNW-5 de 5 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
220-574
Referência do fabricante:
NVMFWS2D5N08XT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

156A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFNW-5

Serie

NVMFWS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.55mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

133W

Tensión directa Vf

0.82V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Anchura

6mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de potencia de ON Semiconductor en un encapsulado plano de 5x6mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluyendo un alto rendimiento térmico. Opción de flanco mojable disponible para mejorar la inspección óptica. MOSFET con calificación AEC-Q101 y apto para PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.

Sin halógenos

Compatible con RoHS

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