MOSFET sencillos, Tipo N-Canal onsemi NVMFWS004N04XMT1G, VDSS 40 V, ID 66 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 648-508
- Referência do fabricante:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 648-508
- Referência do fabricante:
- NVMFWS004N04XMT1G
- Fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 66A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Serie | NVM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 38W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5 mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 66A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Serie NVM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 38W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5 mm | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares PPAP capable, Halogen Free/BFR Free, Pb Free, RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de potencia de automoción de ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para diseños compactos y eficientes e incluye un alto rendimiento térmico. Opción de flanco húmedo disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET calificado AEC-Q101 y capaz de PPAP adecuado para aplicaciones de automoción.
Pequeño tamaño
RDS(on) baja
QG y capacitancia bajas
Opción de flanco húmedo
Calificación AEC−Q101 y capacidad de PPAP
Conforme a RoHS
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