MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip VN2460N8-G, VDSS 600 V, ID 250 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 598-312
- Referência do fabricante:
- VN2460N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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| 2000 + | 0,998 € | 1 996,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 598-312
- Referência do fabricante:
- VN2460N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 250mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | VN2460 | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.6mm | |
| Longitud | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 250mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie VN2460 | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.6mm | ||
Longitud 4.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET vertical de modo de mejora de canal N de Microchip es un transistor de desconexión normal que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares al tiempo que ofrece la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo típicos de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, el dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones exigentes.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y alta ganancia
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