MOSFET, Tipo P-Canal Microchip TP2510N8-G, VDSS 100 V, Mejora, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 333-254
- Referência do fabricante:
- TP2510N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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- Código RS:
- 333-254
- Referência do fabricante:
- TP2510N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | TP2510 | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie TP2510 | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Microchip es un transistor de modo de mejora de umbral bajo que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de la puerta de silicio de eficacia probada.
Esta combinación da lugar a un dispositivo con la potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los transistores bipolares
inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida.
umbral bajo máximo de 2 V
Alta impedancia de entrada
125 pF de capacitancia máxima de entrada baja
Velocidades de conmutación rápidas
Resistencia de conexión baja
Sin averías secundarias
Bajas fugas de entrada y salida
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