MOSFET, Tipo P-Canal Microchip, VDSS 500 V, ID 160 mA, Mejora, SOT-89 de 3 pines

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Código RS:
177-9709
Referência do fabricante:
VP2450N8-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

160mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

SOT-89

Serie

VP2450

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

35Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-1.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

4.6mm

Anchura

2.6 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
US
Este transistor de modo de mejora (normalmente desactivado) y umbral bajo utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio probado. Esta combinación produce un dispositivo con capacidades de gestión de potencia de transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherente a los dispositivos MOS. Como es característico en todas las estructuras MOS, este dispositivo no contiene desbordamiento térmico y desconexión secundaria térmicamente inducida. Los FET DMOS verticales son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se necesita tensión de umbral muy baja, alta tensión de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y velocidades de conmutación rápidas.

Libre de ruptura secundaria

Bajo requisito de potencia de excitación

Fácil conexión en paralelo

Bajo CISS y velocidades de conmutación rápidas

Alta impedancia de entrada y ganancia alta

Estabilidad térmica excelente

Diodo de fuente a drenador integral

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