MOSFET sencillos, N-Canal Microchip DN3525N8-G, VDSS 250 V, ID 360 mA, Reducción, SOT-89 de 3 pines
- Código RS:
- 649-455
- Referência do fabricante:
- DN3525N8-G
- Fabricante:
- Microchip
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*preço indicativo
- Código RS:
- 649-455
- Referência do fabricante:
- DN3525N8-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 360mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | DN3525 | |
| Encapsulado | SOT-89 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 360mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie DN3525 | ||
Encapsulado SOT-89 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El transistor de Microchip con modo de agotamiento de umbral bajo (normalmente encendido) utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS.
Alta impedancia de entrada
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Baja resistencia a la conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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