Conjuntos MOSFET Microchip, Canal P, Canal N-Canal TC2320TG-G, ID 2.1 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 1, config. Mosfet
- Código RS:
- 598-027
- Referência do fabricante:
- TC2320TG-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 1,824 € | 6 019,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 598-027
- Referência do fabricante:
- TC2320TG-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal P, Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.1A | |
| Serie | TC2320 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 12Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Mosfet independiente de canal N y canal P | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Canal P, Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.1A | ||
Serie TC2320 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 12Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Mosfet independiente de canal N y canal P | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de canal N y canal P de alta tensión y umbral bajo de Microchip en un encapsulado SOIC de 8 cables es un transistor de modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura DMOS vertical avanzada y un proceso de fabricación de puerta de silicio bien probado. Esta combinación proporciona las capacidades de manejo de potencia de los transistores bipolares al tiempo que mantiene una impedancia de entrada alta y un coeficiente de temperatura positivo, típico de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, el dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable.
Umbral bajo
Resistencia de conexión baja
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Libre de averías secundarias
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