Conjuntos MOSFET Microchip, Doble N-Canal TD9944TG-G, VDSS 240 V, ID 2.8 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 598-332
- Referência do fabricante:
- TD9944TG-G
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3300 + | 2,363 € | 7 797,90 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 598-332
- Referência do fabricante:
- TD9944TG-G
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | Conjuntos MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 240V | |
| Serie | TD9944 | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble canal N | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.75mm | |
| Longitud | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Certificate of Compliance | |
| Anchura | 3.9 mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto Conjuntos MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 240V | ||
Serie TD9944 | ||
Encapsulado SOIC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble canal N | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.75mm | ||
Longitud 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Certificate of Compliance | ||
Anchura 3.9 mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET verticales de modo de mejora de canal N doble de Microchip utilizan el probado proceso de fabricación de puerta de silicio de Supertex. Esta combinación ofrece capacidades de manejo de potencia similares a las de los transistores bipolares, junto con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo característicos de los dispositivos MOS. Al igual que con todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y fallos secundarios inducidos térmicamente, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en entornos exigentes.
Alta impedancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Baja resistencia a la conexión
Libre de averías secundarias
Baja fuga de entrada y salida
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